Номер детали

23N60E

600V 23A N-channel power MOSFET for high-efficiency switching and inverter applications

ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fuji Electric Co., Ltd.
КАТЕГОРИЯ ТОВАРА
МОП-транзистор
Корпус
TO-3P
Склад
1,500 шт.
Наличие
Текущее количество требует подтверждения.
RFQ включает: Цена Подтверждение наличия Дата производства Срок поставки
Фото товара и поддержка по тестированию доступны по запросу.

Характеристики товара

ПРОИЗВОДИТЕЛЬ Fuji Electric Co., Ltd.
КАТЕГОРИЯ ТОВАРА МОП-транзистор
Application Switching Power Supplies
Avalanche Capability High Avalanche Energy
Channel Type N-Channel
Continuous Drain Current 23A
Drain-Source On-Resistance 0.28Ω Max
Drain-Source voltage 600V
Gate Charge low gate charge design
Gate-Source voltage ±30V
Input Capacitance Low Input Capacitance
MOSFET Mode Enhancement Mode
Mounting Type Through Hole
Operating Junction Temperature Up to +150°C
Package Type TO-3P / TO-3PF
Power Dissipation 200W
Product Type Power MOSFET
Switching Type High-speed switching
Technology Silicon Power MOSFET
Техническая документация Открыть техническую документацию PDF
Информация для закупки

Сводка по закупке

Основная информация о поставке и закупке для 23N60E.

Проверить цену и наличие
Номер детали 23N60E
Наличие Указано в наличии: 1,500 шт. Текущее количество требует подтверждения.
Упаковка и состояние Доступно подтверждение упаковки Упаковка производителя, этикетка и состояние упаковки могут быть проверены по запросу.
Дата производства и партия Доступна проверка Дата производства, партия и данные этикетки могут быть проверены по запросу.
Поддержка инспекции Поддержка инспекции и тестирования Можно организовать визуальную проверку, рентген или дополнительное тестирование.
Поддержка закупок Объемные и дефицитные закупки Поддерживаются требования OEM, EMS, поиск дефицитных компонентов и долгосрочные поставки.
ВОЗМОЖНОСТИ ПО ЗАКУПКАМ

Почему выбирают Antrex Electronics?

Независимая дистрибьюторская поддержка для проверенных закупок, инспекции и международных требований к поставкам.

Поддержка независимого дистрибьютора

Поиск дефицитных, снятых с производства и труднодоступных компонентов для производственных и закупочных задач.

Проверка прослеживаемости

До подтверждения заказа можно проверить этикетку, партию, дату производства и доступную документацию по цепочке поставок.

Инспекция и тестирование

При необходимости можно организовать визуальную проверку, рентген и тестирование третьей стороной.

Глобальная поддержка закупок

Поддержка международных закупок для OEM, EMS и дистрибьюторов — от отдельных компонентов до BOM-проектов.

Качество и закупки

Сертификация и поддержка проверки

Контроль качества, проверка прослеживаемости и инспекционная поддержка для закупок электронных компонентов.

ISO 9001 SGS
ISO 9001 Управление качеством
ESD Control
ESD Control Обращение с компонентами
ERAI Membership
ERAI Отраслевая поддержка закупок
Component Traceability
Traceability Проверка маркировки, партии и документации
Поддержка тестирования
Поддержка тестирования Рентген и тестирование третьей стороной

Подробное описание 23N60E

Product Overview

23N60E is commonly associated with the STMicroelectronics STP23N60E, a 600V N-channel power MOSFET designed for high-voltage switching applications. Based on ST's MDmesh™ technology, the device combines low drain-source on-resistance with high current capability, low gate charge and reliable avalanche performance. With a continuous drain current rating up to 23A and a TO-220 power package, STP23N60E is suitable for switch-mode power supplies, power factor correction stages, industrial converters, lighting systems and other applications requiring efficient 600V-class power switching.

Key Features

  • Manufacturer: STMicroelectronics

  • Part Number: STP23N60E / 23N60E

  • Product Type: N-Channel Power MOSFET

  • Technology: MDmesh™ Power MOSFET

  • Transistor Polarity: N-Channel

  • Drain-Source Voltage (VDSS): 600V

  • Continuous Drain Current (ID): 23A at TC = 25°C

  • Continuous Drain Current (ID): 14.5A at TC = 100°C

  • Pulsed Drain Current (IDM): 92A

  • Gate-Source Voltage (VGS): ±25V

  • Drain-Source On-Resistance (RDS(on)): Approximately 0.17Ω Maximum

  • Gate Threshold Voltage (VGS(th)): 3V to 5V

  • Maximum Power Dissipation: Approximately 190W

  • Single-Pulse Avalanche Energy: High Avalanche Capability

  • Gate Charge: Optimized for High-Speed Switching

  • Switching Characteristic: Fast Switching Performance

  • Intrinsic Diode: Integrated Body Diode

  • Maximum Operating Junction Temperature: +150°C

  • Storage Temperature Range: -55°C to +150°C

  • Package Type: TO-220

  • Mounting Type: Through Hole

  • Pin Configuration: Gate, Drain, Source

  • Key Characteristics: Low RDS(on), Low Gate Charge and High Avalanche Ruggedness

  • Typical Applications: SMPS, PFC Circuits, Industrial Power Supplies and High-Voltage Converters

  • Compliance: Lead-Free / RoHS Compliant

Applications

STP23N60E is intended for high-voltage switching circuits requiring low conduction losses and efficient switching performance. Typical applications include switch-mode power supplies, active power factor correction stages, industrial power converters, telecom and server power supplies, electronic lighting systems, inverter circuits and other 600V-class power electronics.

Quality & Sourcing

Antrex Electronics can support 23N60E / STP23N60E sourcing with stock availability checks, RFQ quotation, package confirmation, date code review and shipment arrangement. Buyers should confirm the complete STMicroelectronics ordering number and TO-220 package configuration when requesting this device, as abbreviated top markings may also appear on related MOSFET variants.

For quality control, Antrex Electronics can help arrange product photos, marking verification, visual inspection, packaging confirmation and third-party testing support when required. OEMs, EMS providers, power supply manufacturers and industrial equipment companies are welcome to send BOM lists or power MOSFET requirements for sourcing assistance.

Datasheet PDF:    STP23N60E Datasheet

ДРУГИЕ ВАРИАНТЫ ЗАКУПКИ

Другие варианты закупки

Продолжите поиск по производителю, категории продукции или требованиям к закупке.