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부품 번호

MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR

IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

제품 카테고리
메모리 IC
패키지
54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
재고
3,123 개
공급 가능 여부
현재 수량은 확인이 필요합니다.
RFQ 포함 항목: 가격 재고 확인 Date Code 리드 타임
요청 시 제품 사진 및 테스트 지원을 제공할 수 있습니다.

제품 특성

제조사 Micron Technology Inc.
제품 카테고리 메모리 IC
Access Time 5.4 ns
Clock Frequency 167 MHz
Memory Format DRAM
Memory Interface Parallel
Memory Organization 16M x 16
Memory Size 256Mbit
Memory Type Volatile
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Product status Active
Supplier Device Package 54-TSOP II
Technology SDRAM
Voltage - Supply 3V ~ 3.6V
Write Cycle Time - Word, Page 12ns
데이터시트 데이터시트 PDF 보기
구매 정보

조달 개요

MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR의 주요 공급 및 구매 정보입니다.

가격 및 재고 확인
부품 번호 MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR
공급 가능 여부 표시 재고 3,123 pcs 현재 수량은 확인이 필요합니다.
포장 및 상태 포장 확인 가능 제조사 포장, 라벨 및 포장 상태를 요청 시 확인할 수 있습니다.
Date Code 및 Lot 검증 가능 Date Code, Lot 및 라벨 정보를 요청 시 확인할 수 있습니다.
검사 지원 검사 및 테스트 지원 외관 검사, X-ray 또는 추가 테스트를 진행할 수 있습니다.
조달 지원 대량 및 부족품 조달 OEM, EMS, 수급난 부품 및 장기 공급 요구를 지원합니다.
소싱 역량

왜 Antrex Electronics인가요?

검증된 소싱, 검사 및 글로벌 조달 요구에 대해 독립 유통 지원을 제공합니다.

독립 유통 지원

생산 및 조달 요구에 맞춰 수급난, 단종 및 구하기 어려운 전자부품 소싱을 지원합니다.

추적성 검토

주문 확정 전에 라벨, Lot, Date Code 및 제공 가능한 공급망 문서를 검토할 수 있습니다.

검사 및 테스트

필요 시 외관 검사, X-ray 및 제3자 테스트 지원을 진행할 수 있습니다.

글로벌 조달 지원

OEM, EMS 및 유통업체의 국제 조달 요구를 지원하며 단일 부품부터 BOM 프로젝트까지 대응합니다.

품질 및 조달

인증 및 검증 지원

전자부품 조달을 위한 품질 관리, 추적성 검토 및 검사 지원을 제공합니다.

ISO 9001 SGS
ISO 9001 품질 관리
ESD Control
ESD Control 부품 취급
ERAI Membership
ERAI 업계 조달 지원
Component Traceability
Traceability 라벨, Lot 및 문서 검토
테스트 지원
테스트 지원 X-ray 및 제3자 테스트

MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR 상세 설명

Product Overview

The MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR from Micron Technology Inc. is a volatile DRAM memory IC using SDRAM technology. It provides 256Mbit capacity organized as 16M x 16 and uses a parallel interface with a 167 MHz clock. The device is supplied in a 54-TSOP II surface-mount package and operates from a 3V to 3.6V supply. Access time is specified as 5.4 ns, with a word/page write cycle time of 12 ns, supporting synchronous memory subsystems in systems that require parallel DRAM connectivity.

Key Features

  • 256Mbit volatile DRAM memory capacity
  • SDRAM technology with parallel memory interface
  • Memory organization of 16M x 16
  • 167 MHz clock frequency
  • 5.4 ns access time and 12 ns word/page write cycle time
  • 3V to 3.6V supply voltage range
  • 54-TSOP II surface-mount package
  • Operating temperature range of -40°C to 85°C (TA)

Applications

  • Embedded processing boards that use parallel SDRAM as volatile main memory
  • Data acquisition or instrumentation systems that buffer measurements in DRAM
  • Synchronous memory subsystems operating within the 3V to 3.6V supply range

Design & Procurement Notes

Design considerations should align the system memory architecture with the 16M x 16 organization and the parallel interface requirements. The 3V to 3.6V supply range should be considered during power delivery planning, while the -40°C to 85°C operating range should be considered during thermal layout. The 54-TSOP II surface-mount package requires appropriate PCB footprint and assembly provisions. Timing closure should account for the 167 MHz clock, 5.4 ns access time, and 12 ns word/page write cycle time.

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