型番

3N187

3N187 is a silicon dual-gate N-channel MOSFET designed for RF amplifier, mixer, and communication applications up to 300 MHz

メーカー
Mitsubishi Electric
パッケージ
TO-59
在庫
1,500 pcs
供給状況
現在の数量は確認が必要です。
RFQに含まれる内容: 価格 在庫確認 デートコード リードタイム
製品写真および検査サポートはご要望に応じて提供可能です。

製品属性

メーカー Mitsubishi Electric
製品カテゴリ バイポーラトランジスタ - BJT
Application RF Amplifier, Mixer, IF Amplifier
Channel Mode Depletion Mode
Drain Current (IDSS) 5mA Typical
Drain-Source Voltage (VDS) 20V
Forward Transconductance (gfs) 12,000 µmho Typical
Frequency Range Up to 300 MHz
Gate Protection Integrated Gate Protection Diodes
Input Capacitance 8.5 pF Typical
Manufacturer Motorola / RCA / NJ Semiconductor
Mounting Style Through Hole
Noise Figure 3.5 dB Typical at 200 MHz
Number of Gates Dual Gate
Operating Temperature Range -65°C to +175°C
Package Type TO-18 / TO-72 Metal Can
Power Gain 18 dB Typical at 200 MHz
RoHS Compliance Not Specified
Technology Silicon Insulated-Gate Field-Effect Transistor
Transistor Type N-Channel Depletion MOSFET
データシート データシートを依頼
購買情報

調達概要

3N187 の主要な供給・購買情報です。

価格・在庫を確認
型番 3N187
供給状況 掲載在庫 1,500 pcs 現在の数量は確認が必要です。
梱包・状態 梱包確認対応 メーカー梱包、ラベル、梱包状態はご要望に応じて確認できます。
デートコード・ロット 確認対応可能 デートコード、ロット、ラベル情報はご要望に応じて確認できます。
検査サポート 検査・試験サポート 外観確認、X線検査、追加試験を手配できます。
調達サポート 大口・不足品調達 OEM、EMS、入手困難品、長期供給の要件に対応します。
調達能力

Antrex Electronicsを選ぶ理由

確認済みの調達、検査、国際調達要件に対して独立系ディストリビューションのサポートを提供します。

独立系ディストリビューションサポート

生産および調達要件に対応し、供給不足品、製造中止品、入手困難な電子部品の調達を支援します。

トレーサビリティ確認

注文確定前に、ラベル、ロット、デートコード、および利用可能なサプライチェーン書類を確認できます。

検査・試験

必要に応じて、外観検査、X線検査、第三者試験のサポートを手配できます。

グローバル調達サポート

OEM、EMS、ディストリビューターの国際調達要件に対応し、単品部品からBOM案件までサポートします。

品質・調達

認証・検証サポート

電子部品調達向けに品質管理、トレーサビリティ確認、検査サポートを提供します。

ISO 9001 SGS
ISO 9001 品質マネジメント
ESD Control
ESD Control 部品取扱い
ERAI Membership
ERAI 業界調達サポート
Component Traceability
Traceability ラベル・ロット・書類確認
試験サポート
試験サポート X線・第三者試験

3N187 の詳細説明

Product Overview

3N187 is a high-performance N-channel JFET (Junction Field Effect Transistor) designed for low-noise and high-input impedance applications. It provides excellent signal amplification characteristics, low leakage current and stable electrical performance, making it suitable for audio equipment, instrumentation circuits, communication systems and precision analog applications.

Key Features

  • Part Number: 3N187

  • Device Type: N-Channel Junction Field Effect Transistor (JFET)

  • Channel Type: N-Channel

  • Technology: Silicon JFET

  • High Input Impedance Characteristics

  • Low Noise Signal Operation

  • Low Gate Leakage Current

  • High Gain Performance

  • Low Power Consumption

  • Excellent Thermal Stability

  • Drain-Source Voltage: High voltage capability

  • Drain Current: Suitable for small-signal amplification

  • Package Type: Through-hole transistor package

  • Mounting Type: Through-hole mounting

  • Operating Mode: Depletion mode

  • Application Type: Analog signal amplification

  • Suitable for Precision Circuit Designs

  • Reliable Performance in Low-Level Signal Processing

  • Replacement Component for Legacy Electronic Equipment

  • Quality Support: Sourcing, inspection and BOM assistance available

Applications

3N187 is commonly used in low-noise amplifier circuits, audio equipment, test and measurement instruments, communication devices, sensor interfaces, analog switching circuits and other electronic systems requiring high impedance and low-noise signal processing.

Quality & Sourcing

Antrex Electronics provides sourcing support for 3N187, including availability checking, quotation, package verification, quality inspection and shipment arrangement. Customers can provide BOM lists, quantities and project requirements for professional electronic component sourcing services.

Datasheet

3N187 datasheet PDF is available through manufacturer archives and authorized distributor resources. Please contact Antrex Electronics for datasheet confirmation, stock availability and sourcing support.

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