關於 感測器
感測器將電流、磁場、位置、壓力、溫濕度、光學或其他物理與環境條件轉換為可供監測、控制與資料採集的電氣訊號。Antrex 的 Sensors 類別涵蓋電流與磁性、運動與位置、色彩/光學/影像、浮子與液位、流量、力/荷重、壓力、線性位移、氣體、濕度、溫度、接近、工業及專用感測器。這些產品廣泛應用於工業自動化、馬達控制、電力電子、汽車、機器人、儀器、家電、環境監測、醫療設備及嵌入式系統。
選型時先依被測物理量選擇正確感測器類型,再核對量程、精度、解析度、響應時間與輸出形式。電流與磁性器件需確認量測範圍、隔離方式、頻寬與靈敏度;運動與位置感測器則要確認軸數、量程、雜訊、漂移、介面與校準需求。壓力、力、荷重、流量、液位與位移感測器需核對機械量程、過載能力、介質相容性、接口或安裝結構及訊號調理。溫度、濕度與氣體感測器應比較工作範圍、精度、響應/恢復時間、長期穩定性及環境條件。光學、色彩、接近與影像感測器需注意波長/光譜響應、視場角、感測距離、照明條件、像素或光學結構與介面。工業感測器還要確認外殼、接頭、供電、Analog/I2C/SPI/IO-Link/NPN/PNP 等輸出、IP 等級與溫度範圍。替換時應比對完整感測原理、校準、轉換函數、腳位、機械介面與軟體/韌體相容性,不能只依名義量程判斷。
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CMOS with Processor Image Sensor 648H x 488V 1.75µm x 1.75µm
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CMOS Image Sensor 1280H x 800V 3µm x 3µm 48-CLCC
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CMOS Image Sensor 2592H x 1944V 1.4µm x 1.4µm 47-ODCSP (4.67x5.64)
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CMOS Image Sensor 3848H x 2168V 2.1µm x 2.1µm 95-IBGA (11x8)
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CMOS Image Sensor 4.8µm x 4.8µm 84-LCC (19x19)
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CMOS with Processor Image Sensor 1280H x 1024V 4.8µm x 4.8µm 48-LCC (14.22x14.22)
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CMOS Image Sensor 1280H x 1024V 4.8µm x 4.8µm
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CMOS Image Sensor 2592H x 1944V 1.4µm x 1.4µm 47-ODCSP (4.67x5.64)
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ams-OSRAM USA INC.
Image Sensor 1600H x 1400V 2.79µm x 2.79µm
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CMOS with Processor Image Sensor 1920H x 1200V 4.5µm x 4.5µm
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ams-OSRAM USA INC.
Image Sensor 1600H x 1400V 2.79µm x 2.79µm Die
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CMOS Image Sensor 1312H x 992V 3µm x 3µm 89-IBGA (8x9)
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CMOS Image Sensor 1280H x 800V 2.8µm x 2.8µm 47-ODCSP (5.74x4.42)
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CMOS Image Sensor 4.8µm x 4.8µm 48-LCC (14.22x14.22)
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CMOS with Processor Image Sensor 1280H x 1024V 4.8µm x 4.8µm 48-LCC (14.22x14.22)
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CMOS Image Sensor 1280H x 960V 3.5µm x 3.5µm Die
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CMOS Image Sensor 2592H x 1944V 1.4µm x 1.4µm 47-ODCSP (4.67x5.64)
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ams-OSRAM USA INC.
CMOS Image Sensor 2048H x 2048V 5.5µm x 5.5µm 95-MicroPGA
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CMOS Image Sensor 2592H x 2048V 3.2µm x 3.2µm 163-ILGA (16x16)
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CMOS with Processor Image Sensor 1920H x 1200V 4.5µm x 4.5µm
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