MHT2012NT1
RF LDMOS POWER AMPLIFIER FOR CON
- メーカー
- NXP USA Inc.
- 製品カテゴリ
- RFアンプ
- パッケージ
- -
- 在庫
- 698 pcs
- 供給状況
- 現在の数量は確認が必要です。
製品属性
| メーカー | NXP USA Inc. |
|---|---|
| 製品カテゴリ | RFアンプ |
| Min Qty | 35 |
| Package | Tape & Reel (TR),Bulk |
| Product status | Active |
| データシート | データシートを依頼 |
調達概要
MHT2012NT1 の主要な供給・購買情報です。
Antrex Electronicsを選ぶ理由
確認済みの調達、検査、国際調達要件に対して独立系ディストリビューションのサポートを提供します。
独立系ディストリビューションサポート
生産および調達要件に対応し、供給不足品、製造中止品、入手困難な電子部品の調達を支援します。
トレーサビリティ確認
注文確定前に、ラベル、ロット、デートコード、および利用可能なサプライチェーン書類を確認できます。
検査・試験
必要に応じて、外観検査、X線検査、第三者試験のサポートを手配できます。
グローバル調達サポート
OEM、EMS、ディストリビューターの国際調達要件に対応し、単品部品からBOM案件までサポートします。
認証・検証サポート
電子部品調達向けに品質管理、トレーサビリティ確認、検査サポートを提供します。
MHT2012NT1 の詳細説明
Product Overview
MHT2012NT1 is a Airfast / LDMOS RF power amplifier transistor or integrated PA from NXP Semiconductors. In an RF design it is normally used as a cellular-infrastructure driver or final PA stage, so the useful sourcing checks are not only the ordering code but also the operating band, gain behavior, output level, package footprint and bias conditions.
For this model, the key application data to verify are: cellular infrastructure band; suffix digits normally identify band and power class; RF gain, linearity and efficiency are load-pull / reference-design values; verify data sheet S-parameters before substitution; and high-current RF power bias with thermal pad or flange. Because RF amplifier parts are layout- and matching-sensitive, MHT2012NT1 should be treated as an exact-BOM item unless the replacement has been validated with the same matching network, thermal design and control conditions.
Key Features
- Manufacturer: NXP Semiconductors
- Part Number: MHT2012NT1
- Device Type: Airfast / LDMOS RF power amplifier transistor or integrated PA
- Signal-Chain Role: cellular-infrastructure driver or final PA stage
- Frequency / Band: cellular infrastructure band; suffix digits normally identify band and power class
- Gain / NF / Linearity: RF gain, linearity and efficiency are load-pull / reference-design values; verify data sheet S-parameters before substitution
- Output Power / Compression: power class is encoded in the base part family and must match the original PA design
- Supply / Bias: high-current RF power bias with thermal pad or flange
- RF Interface: matched RF input/output, often for Doherty or linear PA layouts
- Package / Mounting: surface-mount RF IC, MMIC, transistor or connectorized module depending on base number
- Design Note: verify S-parameters, matching network, thermal pad/flange and control pins before substituting this RF amplifier
Applications
- cellular base stations
- remote radio heads
- repeaters and DAS
- RF power-module maintenance
Quality & Sourcing
Antrex Electronics can support sourcing for MHT2012NT1 and related RF amplifier BOM lines, including exact part-number matching, lot-label review, packaging inspection and third-party testing support when the project requires additional verification.
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